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KGD測試分選系統

高溫適配 精準篩選 高效量產 成本控制
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可靠性測試
·UIS最高支持3KV、SC最大支持3000A

高效率
·創新Handler與Tester架構實現更高效率，根據客戶需求與測試內容，綜合UPH可達4K

高精度
·低雜感、低接觸電阻確保信號可靠純凈，提高測試精度。測試回路雜感<50nH，die接觸電阻<10mQ

靜態測試
·支持3KV/600A的電壓和電流

動態測試
·支持2KV/1500A的電壓和電流

高穩定性
·測試環境通過高溫/常溫氮氣形成惰性氛圍保護，防止電弧產生。其中高溫測試環境可達175°C士2°C

Specifications技術規格
SIC KGD

  • 兼容產品:SiC/lGBT bare die

  • 來料形式:WAFER6/8英寸;Tape&Reel以及定制Tray

  • 芯片尺寸:2mm*2mm~8mm*8mm

  • 芯片厚度:80um~600um

  • 設備CT:<700ms(含測試)

  • 主要測試項目:動態/靜態/US/SC等

  • 測試環境:高溫/常溫

  • 溫度范圍:常溫~200℃

  • 溫度穩定性:士2℃,分辨率0.1°C

  • 產品保護:氮氣/干燥空氣(去氧)

  • 放置位置精度:士30um@3σ

  • 放置角度：±0.5°@3σ

  • 正反面視覺檢測：檢測精度>10um，對比度>30可檢)缺陷種類:劃痕、臟污、異物、炸點、缺角、崩邊等

  • 側面視覺檢測：檢測精度>20um，對比度>30可檢;缺陷種類:崩邊、凹坑、崩角

  • 運行穩定性：MTBF>168h: MTBA>2h


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